TMU3N50Z - аналоги и даташиты транзистора

 

TMU3N50Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TMU3N50Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для TMU3N50Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU3N50Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  trinnotech
 tmd3n50z tmu3n50z.pdf pdf_icon

TMU3N50Z

TMD3N50Z(G)/TMU3N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 7.1. Size:454K  trinnotech
 tmd3n50az tmu3n50az.pdf pdf_icon

TMU3N50Z

TMD3N50AZ(G)/TMU3N50AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 9.1. Size:334K  trinnotech
 tmd3n80g tmu3n80g.pdf pdf_icon

TMU3N50Z

TMD3N80G/TMU3N80GFeaturesVDSS = 880 V @Tjmax Low gate chargeID = 3A 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RDS(on) = 4.2 W(max) @ VGS= 10 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationD-PAK DI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD3N80G/TMU3N80G D-PAK/I-PAK TMD3N80G/TMU3N80G Halogen FreeAbsolute Maximum Ratings Parameter

 9.2. Size:829K  trinnotech
 tmd3n90 tmu3n90.pdf pdf_icon

TMU3N50Z

TMD3N90(G)/TMU3N90(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 2.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMU16N25Z , TMU18N20Z , TMU2N40 , TMU2N60AZ , TMU2N60Z , TMU2N65AZ , TMU3N40ZG , TMU3N50AZ , IRF1407 , TMU3N80G , TMU3N90 , TMU4N60 , TMU4N60AZ , TMU4N65AZ , TMU4N65Z , TMU5N40ZG , TMU5N50 .

History: DMN2046U | TMU3N40ZG | NVHL025N65S3 | DMN3051LDM | HFP12N65S | DMN3033LSD

 

 
Back to Top

 


 
.