IRFU5410 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRFU5410 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.205 Ohm
Тип корпуса: TO251
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRFU5410
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFU5410 даташит
irfr5410pbf irfu5410pbf.pdf
PD -95314A IRFR5410PbF IRFU5410PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l P-Channel D VDSS = -100V l Surface Mount (IRFR5410) l Straight Lead (IRFU5410) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.205 G l Fast Switching l Fully Avalanche Rated ID = -13A S l Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing tech
irfu5410.pdf
isc P-Channel MOSFET Transistor IRFU5410 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 205m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION 175 C operating junction temperature ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage -100
irfr540zpbf irfu540zpbf.pdf
PD - 96141B IRFR540ZPbF Features IRFU540ZPbF l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET l 175 C Operating Temperature D l Fast Switching VDSS = 100V l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free l Halogen-Free RDS(on) = 28.5m G Description ID = 35A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest S processing techniques to achiev
irfu540z.pdf
APPROVED PD - TBD AUTOMOTIVE MOSFET IRFR540Z IRFU540Z Features lAdvanced Process Technology HEXFET Power MOSFET lUltra Low On-Resistance D l175 C Operating Temperature VDSS = 100V lFast Switching lRepetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 28.5m G Description ID = 35A Specifically designed for Automotive applications, S this HEXFET Power MOSFET utilizes the l
Другие IGBT... IRFU3303, IRFU3910, IRFU410, IRFU4105, IRFU411, IRFU420, IRFU420A, IRFU5305, IRF9640, IRFU5505, IRFU6215, IRFU9010, IRFU9012, IRFU9014, IRFU9015, IRFU9020, IRFU9022
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor