TMU4N65AZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMU4N65AZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMU4N65AZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU4N65AZ даташит

 ..1. Size:453K  trinnotech
 tmd4n65az tmu4n65az.pdf pdf_icon

TMU4N65AZ

TMD4N65AZ(G)/TMU4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 7.1. Size:475K  trinnotech
 tmd4n65z tmu4n65z.pdf pdf_icon

TMU4N65AZ

TMD4N65Z(G)/TMU4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 8.1. Size:317K  trinnotech
 tmd4n60 tmu4n60.pdf pdf_icon

TMU4N65AZ

TMD4N60/TMU4N60 TMD4N60G/TMU4N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD4N60/TMU4N60 D-PAK/I-PAK TMD4N60/TMU4N60 RoHS TMD4N60G/TMU4N60G D-PAK/I-PAK

 8.2. Size:464K  trinnotech
 tmd4n60az tmu4n60az.pdf pdf_icon

TMU4N65AZ

TMD4N60AZ(G)/TMU4N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TMU2N65AZ, TMU3N40ZG, TMU3N50AZ, TMU3N50Z, TMU3N80G, TMU3N90, TMU4N60, TMU4N60AZ, IRFP250, TMU4N65Z, TMU5N40ZG, TMU5N50, TMU5N50G, TMU5N60AZ, TMU5N60Z, TMU630Z, TMU6N65G