TMU4N65AZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TMU4N65AZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 98.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 67 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm
Тип корпуса: I-PAK
TMU4N65AZ Datasheet (PDF)
tmd4n65az tmu4n65az.pdf
TMD4N65AZ(G)/TMU4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A
tmd4n65z tmu4n65z.pdf
TMD4N65Z(G)/TMU4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A
tmd4n60 tmu4n60.pdf
TMD4N60/TMU4N60TMD4N60G/TMU4N60GVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 4A Low gate chargeRDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationD-PAKDI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD4N60/TMU4N60 D-PAK/I-PAK TMD4N60/TMU4N60 RoHSTMD4N60G/TMU4N60G D-PAK/I-PAK
tmd4n60az tmu4n60az.pdf
TMD4N60AZ(G)/TMU4N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A
tma4n60h tmu4n60h tmd4n60h tmp4n60h.pdf
TMA4N60H,TMU4N60H,TMD4N60H, TMP4N60H Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Inf
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
