Справочник MOSFET. TMU630Z

 

TMU630Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMU630Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для TMU630Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU630Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  trinnotech
tmd630z tmu630z.pdfpdf_icon

TMU630Z

TMD630Z(G)/TMU630Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

Другие MOSFET... TMU4N60AZ , TMU4N65AZ , TMU4N65Z , TMU5N40ZG , TMU5N50 , TMU5N50G , TMU5N60AZ , TMU5N60Z , 7N60 , TMU6N65G , TMU7N60Z , TMU7N65AZ , TMU7N65Z , TMU830 , TMU830AZ , TMU830Z , TMU8N25Z .

History: AP50PN520R | APT28F60S | FMV21N50ES | SWB030R04VT | AOB210L | PHK31NQ03LT | AM2373P

 

 
Back to Top

 


 
.