TMU630Z - аналоги и даташиты транзистора

 

TMU630Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TMU630Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для TMU630Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU630Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  trinnotech
 tmd630z tmu630z.pdf pdf_icon

TMU630Z

TMD630Z(G)/TMU630Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

Другие MOSFET... TMU4N60AZ , TMU4N65AZ , TMU4N65Z , TMU5N40ZG , TMU5N50 , TMU5N50G , TMU5N60AZ , TMU5N60Z , 7N60 , TMU6N65G , TMU7N60Z , TMU7N65AZ , TMU7N65Z , TMU830 , TMU830AZ , TMU830Z , TMU8N25Z .

History: NDD03N40Z | 2SK2507 | SWB060R65E7T

 

 
Back to Top

 


 
.