TMU630Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMU630Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для TMU630Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU630Z даташит

 ..1. Size:453K  trinnotech
 tmd630z tmu630z.pdf pdf_icon

TMU630Z

TMD630Z(G)/TMU630Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

Другие IGBT... TMU4N60AZ, TMU4N65AZ, TMU4N65Z, TMU5N40ZG, TMU5N50, TMU5N50G, TMU5N60AZ, TMU5N60Z, AO3407, TMU6N65G, TMU7N60Z, TMU7N65AZ, TMU7N65Z, TMU830, TMU830AZ, TMU830Z, TMU8N25Z