TMU630Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TMU630Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: I-PAK
Аналог (замена) для TMU630Z
TMU630Z Datasheet (PDF)
tmd630z tmu630z.pdf

TMD630Z(G)/TMU630Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A
Другие MOSFET... TMU4N60AZ , TMU4N65AZ , TMU4N65Z , TMU5N40ZG , TMU5N50 , TMU5N50G , TMU5N60AZ , TMU5N60Z , 7N60 , TMU6N65G , TMU7N60Z , TMU7N65AZ , TMU7N65Z , TMU830 , TMU830AZ , TMU830Z , TMU8N25Z .
History: 2SK2883 | SIR468DP | SSW80R160SFD | AP90T03GI | AP9965GEH | 13N50L-TQ2-T | BSS84KW
History: 2SK2883 | SIR468DP | SSW80R160SFD | AP90T03GI | AP9965GEH | 13N50L-TQ2-T | BSS84KW



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381