Справочник MOSFET. TMU6N65G

 

TMU6N65G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMU6N65G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для TMU6N65G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU6N65G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  trinnotech
 tmd6n65g tmu6n65g.pdf pdf_icon

TMU6N65G

TMD6N65G/TMU6N65G Features VDSS = 715 V @Tjmax Low gate charge ID = 5.5A 100% avalanche tested RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD6N65/TMU6N65 D-PAK/I-PAK TMD6N65/TMU6N65 RoHS TMD6N65G/TMU6N65G D-PAK/I-PAK TM

 9.1. Size:429K  trinnotech
 tmd6n70g tmu6n70g tmd6n70 tmu6n70.pdf pdf_icon

TMU6N65G

TMD6N70(G)/TMU6N70(G) Features VDSS = 770 V @Tjmax Low gate charge ID = 5A 100% avalanche tested RDS(on) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD6N70/TMU6N70 D-PAK/I-PAK TMD6N70/TMU6N70 RoHS TMD6N70G/TMU6N70G D-PAK/I-PAK

Другие MOSFET... TMU4N65AZ , TMU4N65Z , TMU5N40ZG , TMU5N50 , TMU5N50G , TMU5N60AZ , TMU5N60Z , TMU630Z , 75N75 , TMU7N60Z , TMU7N65AZ , TMU7N65Z , TMU830 , TMU830AZ , TMU830Z , TMU8N25Z , TMU8N50Z .

History: JCS40N25WC | 10N60L-TQ2-R | JCS4N80F | KP505B | 2SK3921-01S | BUK7Y25-60E | WM03N115A

 

 
Back to Top

 


 
.