TMU8N25Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMU8N25Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для TMU8N25Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU8N25Z даташит

 ..1. Size:450K  trinnotech
 tmd8n25z tmu8n25z.pdf pdf_icon

TMU8N25Z

TMD8N25Z(G)/TMU8N25Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A

 9.1. Size:472K  trinnotech
 tmd8n60az tmu8n60az.pdf pdf_icon

TMU8N25Z

TMD8N60AZ(G)/TMU8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 9.2. Size:452K  trinnotech
 tmd8n50z tmu8n50z.pdf pdf_icon

TMU8N25Z

TMD8N50Z(G)/TMU8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

 9.3. Size:470K  cn wuxi unigroup
 tma8n60h tmd8n60h tmu8n60h.pdf pdf_icon

TMU8N25Z

TMA8N60H, TMD8N60H, TMU8N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA8N60H TO-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TMU630Z, TMU6N65G, TMU7N60Z, TMU7N65AZ, TMU7N65Z, TMU830, TMU830AZ, TMU830Z, 8N60, TMU8N50Z, TMU8N60AZ, IRF1405ZL-7PPBF, IRF1405ZLPBF, IRF1405ZPBF, IRF1405ZS-7PPBF, IRF1405ZSPBF, IRF1407PBF