Справочник MOSFET. FMP06N60E

 

FMP06N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FMP06N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для FMP06N60E

 

 

FMP06N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:502K  fuji
 fmp06n60e.pdf

FMP06N60E FMP06N60E

FMP06N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220ABLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

 0.1. Size:478K  fuji
 fmp06n60es.pdf

FMP06N60E FMP06N60E

FMP06N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220ABLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.70.5V

Другие MOSFET... IRF1405ZPBF , IRF1405ZS-7PPBF , IRF1405ZSPBF , IRF1407PBF , IRF140SMD , FMP03N60E , FMP05N50E , FMP05N60E , AO4468 , FMP06N60ES , FMP07N50E , FMP08N50E , FMP10N60E , FMP11N60E , FMP12N50E , FMP12N50ES , FMP12N60ES .

History: SSS4N60B

 

 
Back to Top