FMP06N60ES. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMP06N60ES

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для FMP06N60ES

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMP06N60ES даташит

 ..1. Size:478K  fuji
 fmp06n60es.pdf pdf_icon

FMP06N60ES

FMP06N60ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220AB Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.7 0.5V

 5.1. Size:502K  fuji
 fmp06n60e.pdf pdf_icon

FMP06N60ES

FMP06N60E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220AB Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

Другие IGBT... IRF1405ZS-7PPBF, IRF1405ZSPBF, IRF1407PBF, IRF140SMD, FMP03N60E, FMP05N50E, FMP05N60E, FMP06N60E, AON7403, FMP07N50E, FMP08N50E, FMP10N60E, FMP11N60E, FMP12N50E, FMP12N50ES, FMP12N60ES, FMP13N60E