FMP08N50E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMP08N50E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.79 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для FMP08N50E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMP08N50E даташит

 ..1. Size:381K  fuji
 fmp08n50e.pdf pdf_icon

FMP08N50E

FMP08N50E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220AB Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

Другие IGBT... IRF1407PBF, IRF140SMD, FMP03N60E, FMP05N50E, FMP05N60E, FMP06N60E, FMP06N60ES, FMP07N50E, EMB04N03H, FMP10N60E, FMP11N60E, FMP12N50E, FMP12N50ES, FMP12N60ES, FMP13N60E, FMP13N60ES, FMP16N50E