FMP10N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMP10N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.79 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для FMP10N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMP10N60E даташит

 ..1. Size:555K  fuji
 fmp10n60e.pdf pdf_icon

FMP10N60E

FMP10N60E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220AB Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

Другие IGBT... IRF140SMD, FMP03N60E, FMP05N50E, FMP05N60E, FMP06N60E, FMP06N60ES, FMP07N50E, FMP08N50E, RU7088R, FMP11N60E, FMP12N50E, FMP12N50ES, FMP12N60ES, FMP13N60E, FMP13N60ES, FMP16N50E, FMP16N50ES