Справочник MOSFET. FMP10N60E

 

FMP10N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMP10N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.79 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для FMP10N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMP10N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  fuji
 fmp10n60e.pdf pdf_icon

FMP10N60E

FMP10N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220ABLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

Другие MOSFET... IRF140SMD , FMP03N60E , FMP05N50E , FMP05N60E , FMP06N60E , FMP06N60ES , FMP07N50E , FMP08N50E , MMD60R360PRH , FMP11N60E , FMP12N50E , FMP12N50ES , FMP12N60ES , FMP13N60E , FMP13N60ES , FMP16N50E , FMP16N50ES .

 

 
Back to Top

 


 
.