Справочник MOSFET. FMP13N60ES

 

FMP13N60ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMP13N60ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для FMP13N60ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMP13N60ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:528K  fuji
 fmp13n60es.pdf pdf_icon

FMP13N60ES

FMP13N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220ABLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.20.5

 5.1. Size:466K  fuji
 fmp13n60e.pdf pdf_icon

FMP13N60ES

FMP13N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220ABLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

Другие MOSFET... FMP07N50E , FMP08N50E , FMP10N60E , FMP11N60E , FMP12N50E , FMP12N50ES , FMP12N60ES , FMP13N60E , IRFP064N , FMP16N50E , FMP16N50ES , FMP16N60E , FMP16N60ES , FMP20N50E , FMP20N50ES , FMP20N60S1 , FMP30N60S1 .

History: BF1202WR | P3606BEA | P5515BD | IRFSZ35 | SIHF9540 | DMN15H310SE | MP10N60EIF

 

 
Back to Top

 


 
.