Справочник MOSFET. FMR09N90E

 

FMR09N90E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMR09N90E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FMR09N90E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  fuji
fmr09n90e.pdfpdf_icon

FMR09N90E

FMR09N90E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3PFLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.00.5V)H

 ..2. Size:210K  inchange semiconductor
fmr09n90e.pdfpdf_icon

FMR09N90E

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor FMR09N90EFEATURESWith TO-3PML packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsLoad switchPower managementABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXTL2x220N075T | FQP10N20 | FRK9260D | SI1402DH | 2N4338 | AP6926GMT | APT5028BVR

 

 
Back to Top

 


 
.