Справочник MOSFET. FMR11N90E

 

FMR11N90E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMR11N90E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для FMR11N90E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMR11N90E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  fuji
 fmr11n90e.pdf pdf_icon

FMR11N90E

FMR11N90E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3PFLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.00.5V)H

Другие MOSFET... FMP16N60E , FMP16N60ES , FMP20N50E , FMP20N50ES , FMP20N60S1 , FMP30N60S1 , FMP76-010T , FMR09N90E , IRFZ44 , FMR17N60ES , FMR19N60E , FMR19N60ES , FMR21N50ES , FMR23N50ES , FMR23N60E , FMR23N60ES , FMR28N50E .

History: SIA429DJT

 

 
Back to Top

 


 
.