FMR11N90E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMR11N90E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-3PF

Аналог (замена) для FMR11N90E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMR11N90E даташит

 ..1. Size:461K  fuji
 fmr11n90e.pdf pdf_icon

FMR11N90E

FMR11N90E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3PF Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.0 0.5V) H

Другие IGBT... FMP16N60E, FMP16N60ES, FMP20N50E, FMP20N50ES, FMP20N60S1, FMP30N60S1, FMP76-010T, FMR09N90E, IRFZ44, FMR17N60ES, FMR19N60E, FMR19N60ES, FMR21N50ES, FMR23N50ES, FMR23N60E, FMR23N60ES, FMR28N50E