FMR17N60ES - аналоги и даташиты транзистора

 

FMR17N60ES - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FMR17N60ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для FMR17N60ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMR17N60ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:517K  fuji
 fmr17n60es.pdf pdf_icon

FMR17N60ES

FMR17N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3PFLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.20.5V)

Другие MOSFET... FMP16N60ES , FMP20N50E , FMP20N50ES , FMP20N60S1 , FMP30N60S1 , FMP76-010T , FMR09N90E , FMR11N90E , IRF640 , FMR19N60E , FMR19N60ES , FMR21N50ES , FMR23N50ES , FMR23N60E , FMR23N60ES , FMR28N50E , FMR28N50ES .

History: IXKC19N60C5

 

 
Back to Top

 


 
.