FMR17N60ES. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMR17N60ES

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-3PF

Аналог (замена) для FMR17N60ES

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMR17N60ES даташит

 ..1. Size:517K  fuji
 fmr17n60es.pdf pdf_icon

FMR17N60ES

FMR17N60ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3PF Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.2 0.5V)

Другие IGBT... FMP16N60ES, FMP20N50E, FMP20N50ES, FMP20N60S1, FMP30N60S1, FMP76-010T, FMR09N90E, FMR11N90E, IRF640, FMR19N60E, FMR19N60ES, FMR21N50ES, FMR23N50ES, FMR23N60E, FMR23N60ES, FMR28N50E, FMR28N50ES