Справочник MOSFET. FMV05N60E

 

FMV05N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMV05N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FMV05N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV05N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:487K  fuji
 fmv05n60e.pdf pdf_icon

FMV05N60E

FMV05N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.

 8.1. Size:376K  fuji
 fmv05n50e.pdf pdf_icon

FMV05N60E

FMV05N50E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.

Другие MOSFET... FMR21N50ES , FMR23N50ES , FMR23N60E , FMR23N60ES , FMR28N50E , FMR28N50ES , FMV03N60E , FMV05N50E , IRFP250N , FMV06N60E , FMV06N60ES , FMV06N90E , FMV07N50E , FMV08N50E , FMV09N90E , FMV10N60E , FMV10N80E .

History: SIHF530 | H5N2504DS | APT30M40JVFR

 

 
Back to Top

 


 
.