FMV06N60ES. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMV06N60ES

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FMV06N60ES

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV06N60ES даташит

 ..1. Size:489K  fuji
 fmv06n60es.pdf pdf_icon

FMV06N60ES

 5.1. Size:469K  fuji
 fmv06n60e.pdf pdf_icon

FMV06N60ES

FMV06N60E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220F(SLS) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.

 8.1. Size:375K  fuji
 fmv06n90e.pdf pdf_icon

FMV06N60ES

http //www.fujisemi.com FMV06N90E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220F(SLS) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate t

Другие IGBT... FMR23N60E, FMR23N60ES, FMR28N50E, FMR28N50ES, FMV03N60E, FMV05N50E, FMV05N60E, FMV06N60E, P55NF06, FMV06N90E, FMV07N50E, FMV08N50E, FMV09N90E, FMV10N60E, FMV10N80E, FMV11N60E, FMV11N90E