FMV08N50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FMV08N50E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.79 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
FMV08N50E Datasheet (PDF)
fmv08n50e.pdf

FMV08N50E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.
Другие MOSFET... FMR28N50ES , FMV03N60E , FMV05N50E , FMV05N60E , FMV06N60E , FMV06N60ES , FMV06N90E , FMV07N50E , AON7408 , FMV09N90E , FMV10N60E , FMV10N80E , FMV11N60E , FMV11N90E , FMV12N50E , FMV12N50ES , FMV12N60ES .
History: AM1963PE | MDD14N25CRH
History: AM1963PE | MDD14N25CRH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140