Справочник MOSFET. FMV13N60E

 

FMV13N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMV13N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FMV13N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV13N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  fuji
 fmv13n60e.pdf pdf_icon

FMV13N60E

FMV13N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.

 0.1. Size:529K  fuji
 fmv13n60es.pdf pdf_icon

FMV13N60E

FMV13N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.2

Другие MOSFET... FMV09N90E , FMV10N60E , FMV10N80E , FMV11N60E , FMV11N90E , FMV12N50E , FMV12N50ES , FMV12N60ES , 5N60 , FMV13N60ES , FMV16N50E , FMV16N50ES , FMV16N60E , FMV16N60ES , FMV17N60ES , FMV19N60E , FMV19N60ES .

History: VBA3695 | AM2373P

 

 
Back to Top

 


 
.