FMV23N50ES - аналоги и даташиты транзистора

 

FMV23N50ES - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FMV23N50ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.245 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FMV23N50ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV23N50ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:490K  fuji
 fmv23n50es.pdf pdf_icon

FMV23N50ES

FMV23N50ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.2

 5.1. Size:406K  fuji
 fmv23n50e.pdf pdf_icon

FMV23N50ES

FMV23N50E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.

Другие MOSFET... FMV16N60ES , FMV17N60ES , FMV19N60E , FMV19N60ES , FMV20N50E , FMV20N50ES , FMV20N60S1 , FMV21N50ES , IRF1407 , FMV24N25G , FMV30N60S1 , FMW20N60S1HF , FMW30N60S1HF , FMW47N60S1HF , FMW79N60S1HF , FP10W50C , FP10W50VX2 .

History: FQP630TSTU | QM4014D | NTDV18N06L | DH100P30CE | NTH4L020N120SC1

 

 
Back to Top

 


 
.