FMV30N60S1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMV30N60S1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4670 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FMV30N60S1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV30N60S1 даташит

 ..1. Size:555K  fuji
 fmv30n60s1.pdf pdf_icon

FMV30N60S1

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FMV30N60S1 FUJI POWER MOSFET Super J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Low on-state resistance TO-220F(SLS) Low switching loss easy to use (more controllabe switching dV/dt by R ) g Drain(D) Applications UPS Server Gate(G) Telecom Source(S) Power condi

Другие IGBT... FMV19N60E, FMV19N60ES, FMV20N50E, FMV20N50ES, FMV20N60S1, FMV21N50ES, FMV23N50ES, FMV24N25G, IRF530, FMW20N60S1HF, FMW30N60S1HF, FMW47N60S1HF, FMW79N60S1HF, FP10W50C, FP10W50VX2, FP10W90, FP10W90HVX2