Справочник MOSFET. FMV30N60S1

 

FMV30N60S1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMV30N60S1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FMV30N60S1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV30N60S1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  fuji
 fmv30n60s1.pdf pdf_icon

FMV30N60S1

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMV30N60S1 FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicLow on-state resistanceTO-220F(SLS)Low switching losseasy to use (more controllabe switching dV/dt by R )gDrain(D)ApplicationsUPSServerGate(G)TelecomSource(S)Power condi

Другие MOSFET... FMV19N60E , FMV19N60ES , FMV20N50E , FMV20N50ES , FMV20N60S1 , FMV21N50ES , FMV23N50ES , FMV24N25G , AO4407 , FMW20N60S1HF , FMW30N60S1HF , FMW47N60S1HF , FMW79N60S1HF , FP10W50C , FP10W50VX2 , FP10W90 , FP10W90HVX2 .

History: VBE2102M | QM3018D | OSG80R380HF

 

 
Back to Top

 


 
.