FP8V50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FP8V50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: ITO-220

Аналог (замена) для FP8V50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FP8V50 даташит

 ..1. Size:48K  shindengen
 2sk1694 fp8v50.pdf pdf_icon

FP8V50

Другие IGBT... FP10W90, FP10W90HVX2, FP11W60C3, FP20W50VX2, FP20W60C3, FP3W90, FP5W90HVX2, FP7W90HVX2, RFP50N06, FQA10N60C, FQA10N80, FQA10N80C, FQA11N90, FQA11N90C, FQA12N60, FQA12P20, FQA13N50