Справочник MOSFET. FQA20N40

 

FQA20N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA20N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA20N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:712K  fairchild semi
 fqa20n40.pdf pdf_icon

FQA20N40

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 400V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 19.5A, 400V, RDS(on) = 0.22 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 60 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF)This advanced technology has bee

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AP0403GH-HF | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP | AUIRFZ34N | ZXMS6005DT8Q | 2N6760JANTXV | RU7550S

 

 
Back to Top

 


 
.