Справочник MOSFET. FQA20N40

 

FQA20N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA20N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для FQA20N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA20N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:712K  fairchild semi
 fqa20n40.pdf pdf_icon

FQA20N40

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 400V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 19.5A, 400V, RDS(on) = 0.22 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 60 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF)This advanced technology has bee

Другие MOSFET... FQA13N50C , FQA13N80 , FQA14N30 , FQA16N25C , FQA16N50 , FQA17N40 , FQA17P10 , FQA19N20L , MMIS60R580P , FQA22P10 , FQA24N50F109 , FQA24N50F , FQA28N15F109 , FQA28N50F109 , FQA28N50F , FQA33N10 , FQA33N10L .

History: SSM3K361R | RFD8P06E

 

 
Back to Top

 


 
.