FQA20N40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA20N40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для FQA20N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA20N40 даташит

 ..1. Size:712K  fairchild semi
 fqa20n40.pdf pdf_icon

FQA20N40

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 400V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 19.5A, 400V, RDS(on) = 0.22 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 60 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF) This advanced technology has bee

Другие IGBT... FQA13N50C, FQA13N80, FQA14N30, FQA16N25C, FQA16N50, FQA17N40, FQA17P10, FQA19N20L, 7N60, FQA22P10, FQA24N50F109, FQA24N50F, FQA28N15F109, FQA28N50F109, FQA28N50F, FQA33N10, FQA33N10L