FQA24N50F109 - аналоги и даташиты транзистора

 

FQA24N50F109 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FQA24N50F109
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для FQA24N50F109

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA24N50F109 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:641K  fairchild semi
 fqa24n50f.pdf pdf_icon

FQA24N50F109

September 2001TMFRFETFQA24N50F500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 24A, 500V, RDS(on) = 0.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 90 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 55 pF)This advanced technology has been especially tail

 5.2. Size:210K  inchange semiconductor
 fqa24n50f.pdf pdf_icon

FQA24N50F109

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FQA24N50FFEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 6.1. Size:1520K  fairchild semi
 fqa24n50.pdf pdf_icon

FQA24N50F109

June 2014FQA24N50N-Channel QFET MOSFET500 V, 24 A, 200 mFeatures Description 24 A, 500 V, RDS(on) = 200 m (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 12 A These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low Gate Charge (Typ. 90 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss (Typ. 55 pF)This advanced technology has been e

 6.2. Size:749K  fairchild semi
 fqa24n50 f109.pdf pdf_icon

FQA24N50F109

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 500V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 24A, 500V, RDS(on) = 0.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 90 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 55 pF)This advanced technology has been e

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQA14N30 , FQA16N25C , FQA16N50 , FQA17N40 , FQA17P10 , FQA19N20L , FQA20N40 , FQA22P10 , RU7088R , FQA24N50F , FQA28N15F109 , FQA28N50F109 , FQA28N50F , FQA33N10 , FQA33N10L , FQA34N20 , FQA34N20L .

 

 
Back to Top

 


 
.