FQA34N20L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQA34N20L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 210 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 34 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 55 nC
Время нарастания (tr): 520 ns
Выходная емкость (Cd): 400 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.075 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
FQA34N20L Datasheet (PDF)
fqa34n20l.pdf
June 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA34N20L200V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 34A, 200V, RDS(on) = 0.075 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 55 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 52 pF)This advanced technology has
fqa34n20.pdf
April 2000TMQFETQFETQFETQFET 200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 34A, 200V, RDS(on) = 0.075 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 60 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 55 pF)This advanced technology has been
fqa34n25.pdf
October 2001FQA34N25250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 34A, 250V, RDS(on) = 0.085 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 60 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 60 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast s
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
