Справочник MOSFET. FQAF28N15

 

FQAF28N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQAF28N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 102 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для FQAF28N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQAF28N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:781K  fairchild semi
 fqaf28n15.pdf pdf_icon

FQAF28N15

May 2000TMQFETQFETQFETQFET 150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 22A, 150V, RDS(on) = 0.09 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF)This advanced technology has been es

 9.1. Size:627K  fairchild semi
 fqaf22p10.pdf pdf_icon

FQAF28N15

TMQFETFQAF22P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -16.6A, -100V, RDS(on) = 0.125 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typically 40 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typically 160 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... FQAF16N25 , FQAF16N25C , FQAF17N40 , FQAF17P10 , FQAF19N20 , FQAF19N20L , FQAF19N60 , FQAF22P10 , K4145 , FQAF33N10 , FQAF33N10L , FQAF34N25 , FQAF40N25 , FQAF44N08 , FQAF44N10 , FQAF47P06 , FQAF58N08 .

History: SI5457DC | FL525205

 

 
Back to Top

 


 
.