Справочник MOSFET. FQAF28N15

 

FQAF28N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQAF28N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 102 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQAF28N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:781K  fairchild semi
 fqaf28n15.pdf pdf_icon

FQAF28N15

May 2000TMQFETQFETQFETQFET 150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 22A, 150V, RDS(on) = 0.09 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF)This advanced technology has been es

 9.1. Size:627K  fairchild semi
 fqaf22p10.pdf pdf_icon

FQAF28N15

TMQFETFQAF22P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -16.6A, -100V, RDS(on) = 0.125 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typically 40 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typically 160 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: HY1904U | STP9NK90Z | HY3312PM | HY3215B | HY3408AM | HY1804B | FQAF6N80

 

 
Back to Top

 


 
.