Справочник MOSFET. FQB1N60TM

 

FQB1N60TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB1N60TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.5 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQB1N60TM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB1N60TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:544K  fairchild semi
 fqb1n60tm.pdf pdf_icon

FQB1N60TM

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB1N60 / FQI1N60600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.2A, 600V, RDS(on) = 11.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF)This advanced technology

Другие MOSFET... FQB17N08TM , FQB17P06TM , FQB17P10TM , FQB19N10LTM , FQB19N10TM , FQB19N20CTM , FQB19N20LTM , FQB19N20TM , RU7088R , FQB1P50TM , FQB20N06LTM , FQB20N06TM , FQB22P10TM , FQB24N08TM , FQB25N33TM , FQB27N25TMAM002 , FQB27P06TM .

History: DAMI220N200 | HGB050N14S | HGT022N12S | CEM3258 | DMP6110SSD | WFF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.