FQB1N60TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB1N60TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.5 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FQB1N60TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB1N60TM даташит

 ..1. Size:544K  fairchild semi
 fqb1n60tm.pdf pdf_icon

FQB1N60TM

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB1N60 / FQI1N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.2A, 600V, RDS(on) = 11.5 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 5.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF) This advanced technology

Другие IGBT... FQB17N08TM, FQB17P06TM, FQB17P10TM, FQB19N10LTM, FQB19N10TM, FQB19N20CTM, FQB19N20LTM, FQB19N20TM, IRFZ48N, FQB1P50TM, FQB20N06LTM, FQB20N06TM, FQB22P10TM, FQB24N08TM, FQB25N33TM, FQB27N25TMAM002, FQB27P06TM