Справочник MOSFET. FQB20N06LTM

 

FQB20N06LTM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB20N06LTM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQB20N06LTM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB20N06LTM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  fairchild semi
 fqb20n06ltm.pdf pdf_icon

FQB20N06LTM

May 2001TMQFETFQB20N06L / FQI20N06L60V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 21A, 60V, RDS(on) = 0.055 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 9.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been esp

 6.1. Size:669K  fairchild semi
 fqb20n06tm.pdf pdf_icon

FQB20N06LTM

May 2001TMQFETFQB20N06 / FQI20N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 20A, 60V, RDS(on) = 0.06 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 11.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been especially

Другие MOSFET... FQB17P10TM , FQB19N10LTM , FQB19N10TM , FQB19N20CTM , FQB19N20LTM , FQB19N20TM , FQB1N60TM , FQB1P50TM , IRF1405 , FQB20N06TM , FQB22P10TM , FQB24N08TM , FQB25N33TM , FQB27N25TMAM002 , FQB27P06TM , FQB2N30TM , FQB2N50TM .

History: IRF3709S | NTMFS5C468NL | RSS125N03FU6TB | IPD60R1K4C6 | ME7802S-G | SM4365NAKP | APT94N65B2C6

 

 
Back to Top

 


 
.