Справочник MOSFET. FQB25N33TM

 

FQB25N33TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB25N33TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 330 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB25N33TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1009K  fairchild semi
 fqb25n33tm.pdf pdf_icon

FQB25N33TM

September 2006 QFETFQB25N33330V N-Channel MOSFETFeatures General Description 25A, 330V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Farichilds proprietary, Low gate charge (typical 58nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 40pF)This advanced technology has been especially tailor

 ..2. Size:1209K  fairchild semi
 fqb25n33tm f085.pdf pdf_icon

FQB25N33TM

April 2010tmFQB25N33TM_F085330V N-Channel MOSFETFeatures General Description 25A, 330V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Farichilds proprietary, Low gate charge (typical 58nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 40pF)This advanced technology has been especially tailored t

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AP2080K | TPCP8204

 

 
Back to Top

 


 
.