FQB2N30TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB2N30TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FQB2N30TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB2N30TM даташит

 ..1. Size:741K  fairchild semi
 fqb2n30tm fqi2n30tu.pdf pdf_icon

FQB2N30TM

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB2N30 / FQI2N30 300V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.1A, 300V, RDS(on) = 3.7 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 3.7 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF) This advanced technology h

 9.1. Size:579K  fairchild semi
 fqb2n60tm.pdf pdf_icon

FQB2N30TM

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB2N60 / FQI2N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.4A, 600V, RDS(on) = 4.7 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 9.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.0 pF) This advanced technology

 9.2. Size:720K  fairchild semi
 fqb2n50tm.pdf pdf_icon

FQB2N30TM

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB2N50 / FQI2N50 500V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.1A, 500V, RDS(on) = 5.3 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.0 pF) This advanced technolog

 9.3. Size:754K  fairchild semi
 fqb2n90tm fqi2n90tu.pdf pdf_icon

FQB2N30TM

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB2N90 / FQI2N90 900V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.2A, 900V, RDS(on) = 7.2 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.5 pF) This advanced technolo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQB1P50TM, FQB20N06LTM, FQB20N06TM, FQB22P10TM, FQB24N08TM, FQB25N33TM, FQB27N25TMAM002, FQB27P06TM, RU7088R, FQB2N50TM, FQB2N60TM, FQB2N80TM, FQB2N90TM, FQB2NA90TM, FQB2P25TM, FQB2P40TM, FQB30N06LTM