Справочник MOSFET. FQB2P25TM

 

FQB2P25TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB2P25TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQB2P25TM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB2P25TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:559K  fairchild semi
 fqb2p25tm fqi2p25tu.pdf pdf_icon

FQB2P25TM

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB2P25 / FQI2P25250V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.3A, -250V, RDS(on) = 4.0 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technolo

 9.1. Size:585K  fairchild semi
 fqb2p40tm.pdf pdf_icon

FQB2P25TM

December 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB2P40 / FQI2P40400V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.0A, -400V, RDS(on) = 6.5 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced techno

Другие MOSFET... FQB27N25TMAM002 , FQB27P06TM , FQB2N30TM , FQB2N50TM , FQB2N60TM , FQB2N80TM , FQB2N90TM , FQB2NA90TM , IRFP064N , FQB2P40TM , FQB30N06LTM , FQB30N06TM , FQB32N12V2TM , FQB32N20CTM , FQB33N10LTM , FQB33N10TM , FQB34N20LTM .

History: PTA08N65 | BRS1N60 | FDP8N50NZU | SM6A22NSU | IPAW70R600CE | SWB076R68E7T | AG12N65S

 

 
Back to Top

 


 
.