Справочник MOSFET. FQB3P50TM

 

FQB3P50TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB3P50TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQB3P50TM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB3P50TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  fairchild semi
 fqb3p50tm fqb3p50 fqi3p50 fqi3p50tu.pdf pdf_icon

FQB3P50TM

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB3P50 / FQI3P50500V P-Channel MOSFETGeneral DescriptionThese P-Channel enhancement mode power field effectFeaturestransistors are produced using Fairchilds proprietary,planar stripe, DMOS technology. -2.7A, -500V, RDS(on) = 4.9 @VGS = -10 VThis advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 1

 9.1. Size:558K  fairchild semi
 fqb3p20tm fqi3p20tu.pdf pdf_icon

FQB3P50TM

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB3P20 / FQI3P20200V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.8A, -200V, RDS(on) = 2.7 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF)This advanced technolo

Другие MOSFET... FQB34N20TMAM002 , FQB34P10TM , FQB3N25TM , FQB3N30TM , FQB3N40TM , FQB3N60CTM , FQB3N90TM , FQB3P20TM , 10N60 , FQB46N15TMAM002 , FQB47P06TMAM002 , FQB4N20LTM , FQB4N20TM , FQB4N25TM , FQB4N50TM , FQB4N90TM , FQB4P25TM .

History: SM2321PSA | HM2302BJR | IRF3709ZLPBF | SM6019NSF | HM4468T | FL014N | SSM6N56FE

 

 
Back to Top

 


 
.