FQB4N20LTM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQB4N20LTM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4 nC
Время нарастания (tr): 70 ns
Выходная емкость (Cd): 36 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.35 Ohm
Тип корпуса: D2-PAK
Аналог (замена) для FQB4N20LTM
FQB4N20LTM Datasheet (PDF)
fqb4n20ltm.pdf
December 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB4N20L / FQI4N20L200V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.8A, 200V, RDS(on) = 1.35 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced
fqb4n20 fqi4n20.pdf
April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB4N20 / FQI4N20200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.6A, 200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.0 pF)This advanced technology
fqb4n20tm fqi4n20tu.pdf
April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB4N20 / FQI4N20200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.6A, 200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.0 pF)This advanced technology
fqb4n25tm fqi4n25tu.pdf
May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB4N25 / FQI4N25250V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.6A, 250V, RDS(on) = 1.75 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 4.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.8 pF)This advanced technology
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
