FQB4N20TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB4N20TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FQB4N20TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB4N20TM даташит

 ..1. Size:698K  fairchild semi
 fqb4n20tm fqi4n20tu.pdf pdf_icon

FQB4N20TM

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB4N20 / FQI4N20 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.6A, 200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 5.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.0 pF) This advanced technology

 7.1. Size:517K  fairchild semi
 fqb4n20ltm.pdf pdf_icon

FQB4N20TM

December 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB4N20L / FQI4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.8A, 200V, RDS(on) = 1.35 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF) This advanced

 7.2. Size:704K  fairchild semi
 fqb4n20 fqi4n20.pdf pdf_icon

FQB4N20TM

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB4N20 / FQI4N20 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.6A, 200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 5.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.0 pF) This advanced technology

 8.1. Size:726K  fairchild semi
 fqb4n25tm fqi4n25tu.pdf pdf_icon

FQB4N20TM

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB4N25 / FQI4N25 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.6A, 250V, RDS(on) = 1.75 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.8 pF) This advanced technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQB3N40TM, FQB3N60CTM, FQB3N90TM, FQB3P20TM, FQB3P50TM, FQB46N15TMAM002, FQB47P06TMAM002, FQB4N20LTM, 10N60, FQB4N25TM, FQB4N50TM, FQB4N90TM, FQB4P25TM, FQB4P40TM, FQB50N06LTM, FQB50N06TM, FQB55N06TM