FQB630TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB630TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FQB630TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB630TM даташит

 ..1. Size:754K  fairchild semi
 fqb630tm.pdf pdf_icon

FQB630TM

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has b

Другие IGBT... FQB5N50CFTM, FQB5N50CTM, FQB5N50TM, FQB5N60CTM, FQB5N60TM, FQB5N90TM, FQB5P10TM, FQB5P20TM, K4145, FQB65N06TM, FQB6N15TM, FQB6N25TM, FQB6N40CTM, FQB6N50, FQB6N60CTM, FQB6N60TM, FQB6N70TM