IRFW610A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFW610A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 35 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO263
IRFW610A Datasheet (PDF)
irfw610a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V2 Low RDS(ON) : 1.169 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Chara
irfw610b irfi610b.pdf
November 2001IRFW610B / IRFI610B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.3A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF)This advanced technology has been especially tailored t
irfw614a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 250V2 Lower RDS(ON) : 1.393 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha
Другие MOSFET... IRFU9310 , IRFUC20 , IRFW450 , IRFW510A , IRFW520A , IRFW530A , IRFW540A , IRFW550A , STP75NF75 , IRFW614A , IRFW620A , IRFW624A , IRFW630A , IRFW634A , IRFW640A , IRFW644A , IRFW710A .
