Справочник MOSFET. IRFW610A

 

IRFW610A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFW610A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRFW610A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFW610A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  1
 irfi610a irfw610a.pdf pdf_icon

IRFW610A

 ..2. Size:505K  samsung
 irfw610a.pdf pdf_icon

IRFW610A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V2 Low RDS(ON) : 1.169 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Chara

 7.1. Size:798K  fairchild semi
 irfw610b irfi610b.pdf pdf_icon

IRFW610A

November 2001IRFW610B / IRFI610B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.3A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF)This advanced technology has been especially tailored t

 8.1. Size:209K  1
 irfi614a irfw614a.pdf pdf_icon

IRFW610A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFU9310 , IRFUC20 , IRFW450 , IRFW510A , IRFW520A , IRFW530A , IRFW540A , IRFW550A , STP75NF75 , IRFW614A , IRFW620A , IRFW624A , IRFW630A , IRFW634A , IRFW640A , IRFW644A , IRFW710A .

 

 
Back to Top

 


 
.