Справочник MOSFET. FQB8P10TM

 

FQB8P10TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB8P10TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.53 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB8P10TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:665K  fairchild semi
 fqb8p10tm fqi8p10tu.pdf pdf_icon

FQB8P10TM

TMQFETFQB8P10 / FQI8P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -8.0A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailored

 7.1. Size:667K  fairchild semi
 fqb8p10 fqi8p10.pdf pdf_icon

FQB8P10TM

TMQFETFQB8P10 / FQI8P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -8.0A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SE2N7002K | SIHG47N60S | NP90N055MDH | 9N95 | 60N08 | IRFB17N50LPBF | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.