FQB8P10TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FQB8P10TM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.53 Ohm
Тип корпуса: D2-PAK
Аналог (замена) для FQB8P10TM
FQB8P10TM Datasheet (PDF)
fqb8p10tm fqi8p10tu.pdf
TMQFETFQB8P10 / FQI8P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -8.0A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailored
fqb8p10 fqi8p10.pdf
TMQFETFQB8P10 / FQI8P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -8.0A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailored
Другие MOSFET... FQB7N30TM , FQB7N60TM , FQB7N65CTM , FQB7N80TMAM002 , FQB7P06TM , FQB85N06TMAM002 , FQB8N25TM , FQB8N60CFTM , 13N50 , FQB9N08LTM , FQB9N08TM , FQB9N15TM , FQB9N25CTM , FQB9N25TM , FQB9N50CFTM , FQB9N50CTM , FQB9N50TM .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313