FQD1N50TF - аналоги и даташиты транзистора

 

FQD1N50TF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FQD1N50TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD1N50TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:827K  fairchild semi
 fqd1n50tf fqd1n50tm fqu1n50tu.pdf pdf_icon

FQD1N50TF

January 2009QFETFQD1N50 / FQU1N50500V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.1A, 500V, RDS(on) = 9.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF)This advanced technology has been especia

 9.1. Size:541K  fairchild semi
 fqd1n60tf fqd1n60tm fqu1n60tu.pdf pdf_icon

FQD1N50TF

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD1N60 / FQU1N60600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.0A, 600V, RDS(on) = 11.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF)This advanced technology

 9.2. Size:731K  fairchild semi
 fqd1n80tf fqd1n80tm fqd1n80 fqu1n80 fqu1n80tu.pdf pdf_icon

FQD1N50TF

January 2009QFETFQD1N80 / FQU1N80 800V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.0A, 800V, RDS(on) = 20 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.5nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 2.7pF)This advanced technology has been especially

 9.3. Size:543K  fairchild semi
 fqd1n60 fqu1n60.pdf pdf_icon

FQD1N50TF

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD1N60 / FQU1N60600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.0A, 600V, RDS(on) = 11.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF)This advanced technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQD17P06TF , FQD17P06TM , FQD18N20V2TF , FQD18N20V2TM , FQD19N10LTF , FQD19N10LTM , FQD19N10TF , FQD19N10TM , IRF540N , FQD1N50TM , FQD1N60CTF , FQD1N60CTM , FQD1N60TF , FQD1N60TM , FQD1N80TF , FQD1N80TM , FQD1P50TF .

 

 
Back to Top

 


 
.