Справочник MOSFET. FQD3N30TF

 

FQD3N30TF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQD3N30TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для FQD3N30TF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD3N30TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:737K  fairchild semi
 fqd3n30tf fqd3n30tm.pdf pdf_icon

FQD3N30TF

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 300V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.4A, 300V, RDS(on) = 2.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology

 9.1. Size:575K  fairchild semi
 fqd3n60 fqu3n60.pdf pdf_icon

FQD3N30TF

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD3N60 / FQU3N60600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.4A, 600V, RDS(on) = 3.6 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.5 pF)This advanced technology h

 9.2. Size:500K  fairchild semi
 fqd3n60ctm ws.pdf pdf_icon

FQD3N30TF

November 2013FQD3N60CTM_WSN-Channel QFET MOSFET600 V, 2.4 A, 3.4 Features Description 2.4 A, 600 V, RDS(on) = 3.4 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 1.2 A This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors proprietary Low Gate Charge (Typ. 10.5 nC)planar stripe and DMOS technology. This advanced Low Crss (Typ. 5 pF)MOSFET te

 9.3. Size:927K  fairchild semi
 fqd3n50c fqu3n50c.pdf pdf_icon

FQD3N30TF

March 2008 QFETFQD3N50C / FQU3N50C500V N-Channel MOSFETFeatures Description 2.5A, 500V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 10 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 8.5pF)This advanced technology has been especially tai

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQD2N90TF , FQD2N90TM , FQD2P40TF , FQD2P40TM , FQD30N06LTF , FQD30N06LTM , FQD30N06TF , FQD30N06TM , AON7410 , FQD3N30TM , FQD3N40TM , FQD3N50CTF , FQD3N50CTM , FQD3N60TM , FQD3P20TF , FQD3P20TM , FQD3P50TF .

History: FQD16N15TM

 

 
Back to Top

 


 
.