Справочник MOSFET. IRFW730A

 

IRFW730A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFW730A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFW730A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  1
irfi730a irfw730a.pdfpdf_icon

IRFW730A

 ..2. Size:506K  samsung
irfw730a.pdfpdf_icon

IRFW730A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V2 Lower RDS(ON) : 0.765 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C

 9.1. Size:116K  1
irfi720a irfw720a.pdfpdf_icon

IRFW730A

 9.2. Size:220K  1
irfi740a irfw740a.pdfpdf_icon

IRFW730A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MTP8P08

 

 
Back to Top

 


 
.