Справочник MOSFET. FQD5N20TF

 

FQD5N20TF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQD5N20TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 6 nC

Время нарастания (tr): 55 ns

Выходная емкость (Cd): 40 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD5N20TF

 

 

FQD5N20TF Datasheet (PDF)

0.1. fqd5n20tf.pdf Size:690K _fairchild_semi

FQD5N20TF
FQD5N20TF

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD5N20 / FQU5N20200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.8A, 200V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology

7.1. fqd5n20ltf fqd5n20ltm fqd5n20l fqu5n20l.pdf Size:618K _fairchild_semi

FQD5N20TF
FQD5N20TF

October 2008QFETFQD5N20L / FQU5N20L200V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.8A, 200V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 4.8 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology is especia

7.2. fqd5n20 fqu5n20.pdf Size:695K _fairchild_semi

FQD5N20TF
FQD5N20TF

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD5N20 / FQU5N20200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.8A, 200V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top