Справочник MOSFET. FQD5N50CTF

 

FQD5N50CTF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQD5N50CTF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 18 nC

Время нарастания (tr): 46 ns

Выходная емкость (Cd): 80 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD5N50CTF

 

 

FQD5N50CTF Datasheet (PDF)

1.1. fqd5n50c fqd5n50ctf fqd5n50ctm fqd5n50c fqu5n50c fqu5n50ctu.pdf Size:664K _fairchild_semi

FQD5N50CTF
FQD5N50CTF

October 2008 QFET® FQD5N50C / FQU5N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 4.0A, 500V, RDS(on) = 1.4 Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 18nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 15pF) This advanced technology has been especially

3.1. fqd5n50.pdf Size:548K _fairchild_semi

FQD5N50CTF
FQD5N50CTF

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD 500V N-Channel MOSFET FQD5N50 DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche an

3.2. fqd5n50tf fqu5n50tu.pdf Size:768K _fairchild_semi

FQD5N50CTF
FQD5N50CTF

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 500V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 3.5A, 500V, RDS(on) = 1.8Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 13 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 8.5 pF) This advanced technology

Другие MOSFET... FQD5N20LTF , FQD5N20LTM , FQD5N20TF , FQD5N30TF , FQD5N30TM , FQD5N40TF , FQD5N40TM , FQD5N50 , IRFBC40 , FQD5N50CTM , FQD5N50TF , FQD5N60CTF , FQD5N60CTM , FQD5P10TF , FQD5P10TM , FQD5P20TF , FQD5P20TM .

 

 
Back to Top