Справочник MOSFET. FQD5N50CTM

 

FQD5N50CTM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQD5N50CTM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 18 nC

Время нарастания (tr): 46 ns

Выходная емкость (Cd): 80 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD5N50CTM

 

 

FQD5N50CTM Datasheet (PDF)

0.1. fqd5n50c fqd5n50ctf fqd5n50ctm fqd5n50c fqu5n50c fqu5n50ctu.pdf Size:664K _fairchild_semi

FQD5N50CTM
FQD5N50CTM

October 2008QFETFQD5N50C / FQU5N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 500V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 18nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 15pF)This advanced technology has been especially

7.1. fqd5n50.pdf Size:548K _fairchild_semi

FQD5N50CTM
FQD5N50CTM

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD500V N-Channel MOSFETFQD5N50DESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary,planar stripe, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored tominimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in theavalanche an

7.2. fqd5n50tf fqu5n50tu.pdf Size:768K _fairchild_semi

FQD5N50CTM
FQD5N50CTM

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 500V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.5A, 500V, RDS(on) = 1.8 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 8.5 pF)This advanced technology

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top