FQD5P10TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQD5P10TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD5P10TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD5P10TM даташит

 ..1. Size:705K  fairchild semi
 fqd5p10tf fqd5p10tm fqd5p10 fqu5p10.pdf pdf_icon

FQD5P10TM

October 2008 QFET FQD5P10 / FQU5P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -3.6A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF) This advanced technology has been espec

 9.1. Size:657K  fairchild semi
 fqd5p20tf fqd5p20tm fqd5p20 fqu5p20 fqu5p20tu.pdf pdf_icon

FQD5P10TM

October 2008 QFET FQD5P20 / FQU5P20 200V P-Channel MOSFET Features General Description -3.7A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 V These P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 10 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low Crss ( typical 12 pF) planar stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced techn

Другие IGBT... FQD5N40TM, FQD5N50, FQD5N50CTF, FQD5N50CTM, FQD5N50TF, FQD5N60CTF, FQD5N60CTM, FQD5P10TF, 75N75, FQD5P20TF, FQD5P20TM, FQD630TF, FQD630TM, FQD6N25TF, FQD6N25TM, FQD6N40CTF, FQD6N40CTM