Справочник MOSFET. FQD5P10TM

 

FQD5P10TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQD5P10TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для FQD5P10TM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD5P10TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  fairchild semi
 fqd5p10tf fqd5p10tm fqd5p10 fqu5p10.pdf pdf_icon

FQD5P10TM

October 2008QFETFQD5P10 / FQU5P10 100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -3.6A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF)This advanced technology has been espec

 9.1. Size:657K  fairchild semi
 fqd5p20tf fqd5p20tm fqd5p20 fqu5p20 fqu5p20tu.pdf pdf_icon

FQD5P10TM

October 2008QFETFQD5P20 / FQU5P20200V P-Channel MOSFETFeaturesGeneral Description -3.7A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 VThese P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 10 nC)transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low Crss ( typical 12 pF)planar stripe, DMOS technology. Fast switchingThis advanced techn

Другие MOSFET... FQD5N40TM , FQD5N50 , FQD5N50CTF , FQD5N50CTM , FQD5N50TF , FQD5N60CTF , FQD5N60CTM , FQD5P10TF , IRF520 , FQD5P20TF , FQD5P20TM , FQD630TF , FQD630TM , FQD6N25TF , FQD6N25TM , FQD6N40CTF , FQD6N40CTM .

History: SISA12DN | 2N7002KB | IRF636A | MDF4N60BTH | 4606 | TMD4N65AZ

 

 
Back to Top

 


 
.