FQD5P20TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQD5P20TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD5P20TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD5P20TM даташит

 ..1. Size:657K  fairchild semi
 fqd5p20tf fqd5p20tm fqd5p20 fqu5p20 fqu5p20tu.pdf pdf_icon

FQD5P20TM

October 2008 QFET FQD5P20 / FQU5P20 200V P-Channel MOSFET Features General Description -3.7A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 V These P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 10 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low Crss ( typical 12 pF) planar stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced techn

 9.1. Size:705K  fairchild semi
 fqd5p10tf fqd5p10tm fqd5p10 fqu5p10.pdf pdf_icon

FQD5P20TM

October 2008 QFET FQD5P10 / FQU5P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -3.6A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF) This advanced technology has been espec

Другие IGBT... FQD5N50CTF, FQD5N50CTM, FQD5N50TF, FQD5N60CTF, FQD5N60CTM, FQD5P10TF, FQD5P10TM, FQD5P20TF, IRFB31N20D, FQD630TF, FQD630TM, FQD6N25TF, FQD6N25TM, FQD6N40CTF, FQD6N40CTM, FQD6N40TF, FQD6N40TM