IRFW830A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFW830A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 33 nC
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 85 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO263
IRFW830A Datasheet (PDF)
irfw830a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 1.169 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha
irfw820a.pdf
Advanced Power MOSFET FEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology RDS(on) = 3.0 Lower Input CapacitanceID = 2.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 2.000 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C
irfw840a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.85 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 0.638 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Char
Другие MOSFET... IRFW634A , IRFW640A , IRFW644A , IRFW710A , IRFW720A , IRFW730A , IRFW740A , IRFW820A , STP80NF70 , IRFW840A , IRFWZ14A , IRFWZ24A , IRFWZ34A , IRFWZ44A , IRFY044 , IRFY044C , IRFY120 .
