Справочник MOSFET. IRFW830A

 

IRFW830A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFW830A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRFW830A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFW830A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  1
 irfi830a irfw830a.pdf pdf_icon

IRFW830A

 ..2. Size:500K  samsung
 irfw830a.pdf pdf_icon

IRFW830A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 1.169 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

 9.1. Size:195K  1
 irfi840a irfw840a.pdf pdf_icon

IRFW830A

 9.2. Size:216K  1
 irfi820a irfw820a.pdf pdf_icon

IRFW830A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFW634A , IRFW640A , IRFW644A , IRFW710A , IRFW720A , IRFW730A , IRFW740A , IRFW820A , 8205A , IRFW840A , IRFWZ14A , IRFWZ24A , IRFWZ34A , IRFWZ44A , IRFY044 , IRFY044C , IRFY120 .

 

 
Back to Top

 


 
.