FQD630TF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQD630TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD630TF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD630TF даташит

 ..1. Size:853K  fairchild semi
 fqd630tf fqd630tm.pdf pdf_icon

FQD630TF

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has b

Другие IGBT... FQD5N50CTM, FQD5N50TF, FQD5N60CTF, FQD5N60CTM, FQD5P10TF, FQD5P10TM, FQD5P20TF, FQD5P20TM, STP65NF06, FQD630TM, FQD6N25TF, FQD6N25TM, FQD6N40CTF, FQD6N40CTM, FQD6N40TF, FQD6N40TM, IRF2204LPBF