Справочник MOSFET. IRFW840A

 

IRFW840A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFW840A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IRFW840A

 

 

IRFW840A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  1
 irfi840a irfw840a.pdf

IRFW840A IRFW840A

 ..2. Size:504K  samsung
 irfw840a.pdf

IRFW840A IRFW840A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.85 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 0.638 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Char

 9.1. Size:213K  1
 irfi830a irfw830a.pdf

IRFW840A IRFW840A

 9.2. Size:216K  1
 irfi820a irfw820a.pdf

IRFW840A IRFW840A

 9.3. Size:504K  samsung
 irfw820a.pdf

IRFW840A IRFW840A

Advanced Power MOSFET FEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology RDS(on) = 3.0 Lower Input CapacitanceID = 2.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 2.000 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C

 9.4. Size:500K  samsung
 irfw830a.pdf

IRFW840A IRFW840A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 1.169 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

Другие MOSFET... IRFW640A , IRFW644A , IRFW710A , IRFW720A , IRFW730A , IRFW740A , IRFW820A , IRFW830A , 2SK3568 , IRFWZ14A , IRFWZ24A , IRFWZ34A , IRFWZ44A , IRFY044 , IRFY044C , IRFY120 , IRFY120C .

 

 
Back to Top