Справочник MOSFET. IRFW840A

 

IRFW840A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFW840A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRFW840A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFW840A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  1
 irfi840a irfw840a.pdf pdf_icon

IRFW840A

 ..2. Size:504K  samsung
 irfw840a.pdf pdf_icon

IRFW840A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.85 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 0.638 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Char

 9.1. Size:213K  1
 irfi830a irfw830a.pdf pdf_icon

IRFW840A

 9.2. Size:216K  1
 irfi820a irfw820a.pdf pdf_icon

IRFW840A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFW640A , IRFW644A , IRFW710A , IRFW720A , IRFW730A , IRFW740A , IRFW820A , IRFW830A , 2SK3568 , IRFWZ14A , IRFWZ24A , IRFWZ34A , IRFWZ44A , IRFY044 , IRFY044C , IRFY120 , IRFY120C .

History: IXFR80N20Q | IXTV26N60PS | STH65N05FI | FDPF10N50UT | HUF75309D3S | NTD3055L104 | 2SK2367

 

 
Back to Top

 


 
.