IRFW840A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFW840A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFW840A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFW840A даташит

 ..1. Size:195K  1
 irfi840a irfw840a.pdf pdf_icon

IRFW840A

 ..2. Size:504K  samsung
 irfw840a.pdf pdf_icon

IRFW840A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.85 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V 2 Lower RDS(ON) 0.638 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Char

 9.1. Size:213K  1
 irfi830a irfw830a.pdf pdf_icon

IRFW840A

 9.2. Size:216K  1
 irfi820a irfw820a.pdf pdf_icon

IRFW840A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFW640A, IRFW644A, IRFW710A, IRFW720A, IRFW730A, IRFW740A, IRFW820A, IRFW830A, AO3401, IRFWZ14A, IRFWZ24A, IRFWZ34A, IRFWZ44A, IRFY044, IRFY044C, IRFY120, IRFY120C