IRFWZ14A - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IRFWZ14A. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFWZ14A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRFWZ14A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFWZ14A даташит

 ..1. Size:273K  1
 irfwz14a irfiz14a.pdf pdf_icon

IRFWZ14A

 9.1. Size:291K  1
 irfwz34a irfiz34a.pdf pdf_icon

IRFWZ14A

 9.2. Size:210K  samsung
 irfwz24a.pdf pdf_icon

IRFWZ14A

IRFW/IZ24A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature 2 A (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current 10 Lower RDS(ON) 0.050 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drai

 9.3. Size:507K  samsung
 irfwz44a.pdf pdf_icon

IRFWZ14A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.024 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 50 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.020 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Max

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFW644A , IRFW710A , IRFW720A , IRFW730A , IRFW740A , IRFW820A , IRFW830A , IRFW840A , SPP20N60C3 , IRFWZ24A , IRFWZ34A , IRFWZ44A , IRFY044 , IRFY044C , IRFY120 , IRFY120C , IRFY130 .

 

 
Back to Top

 


 
.