IRFWZ14A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFWZ14A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFWZ14A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFWZ14A даташит

 ..1. Size:273K  1
 irfwz14a irfiz14a.pdf pdf_icon

IRFWZ14A

 9.1. Size:291K  1
 irfwz34a irfiz34a.pdf pdf_icon

IRFWZ14A

 9.2. Size:210K  samsung
 irfwz24a.pdf pdf_icon

IRFWZ14A

IRFW/IZ24A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature 2 A (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current 10 Lower RDS(ON) 0.050 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drai

 9.3. Size:507K  samsung
 irfwz44a.pdf pdf_icon

IRFWZ14A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.024 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 50 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.020 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Max

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFW644A, IRFW710A, IRFW720A, IRFW730A, IRFW740A, IRFW820A, IRFW830A, IRFW840A, IRFP260, IRFWZ24A, IRFWZ34A, IRFWZ44A, IRFY044, IRFY044C, IRFY120, IRFY120C, IRFY130