Справочник MOSFET. IRF2807ZSPBF

 

IRF2807ZSPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF2807ZSPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IRF2807ZSPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF2807ZSPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  international rectifier
irf2807zpbf irf2807zspbf irf2807zlpbf.pdfpdf_icon

IRF2807ZSPBF

PD - 95488AIRF2807ZPbFIRF2807ZSPbFFeaturesIRF2807ZLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 75V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 9.4mGID = 75ADescriptionS This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techni

 ..2. Size:399K  international rectifier
irf2807zlpbf irf2807zpbf irf2807zspbf.pdfpdf_icon

IRF2807ZSPBF

PD - 95488AIRF2807ZPbFIRF2807ZSPbFFeaturesIRF2807ZLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 75V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 9.4mGID = 75ADescriptionS This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techni

 5.1. Size:258K  inchange semiconductor
irf2807zs.pdfpdf_icon

IRF2807ZSPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2807ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

 6.1. Size:173K  international rectifier
irf2807z.pdfpdf_icon

IRF2807ZSPBF

PD - 94659IRF2807ZAUTOMOTIVE MOSFETHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 75V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 9.4m 175C Operating TemperatureG Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 75ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes th

Другие MOSFET... IRF2805LPBF , IRF2805PBF , IRF2805SPBF , IRF2807PBF , IRF2807SPBF , IRF2807LPBF , IRF2807ZLPBF , IRF2807ZPBF , 20N60 , IRF2903ZLPBF , IRF2903ZPBF , IRF2903ZSPBF , IRF2907ZLPBF , IRF2907ZPBF , IRF2907ZS-7PPBF , IRF2907ZSPBF , IRF3610SPBF .

History: JCS20N60FH | AOT2906 | ZXMN2A02N8 | AP9569GM | 2SK3408 | TK3P50D | IXFR66N50Q2

 

 
Back to Top

 


 
.