IRF2807ZSPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF2807ZSPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IRF2807ZSPBF
IRF2807ZSPBF Datasheet (PDF)
irf2807zpbf irf2807zspbf irf2807zlpbf.pdf

PD - 95488AIRF2807ZPbFIRF2807ZSPbFFeaturesIRF2807ZLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 75V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 9.4mGID = 75ADescriptionS This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techni
irf2807zlpbf irf2807zpbf irf2807zspbf.pdf

PD - 95488AIRF2807ZPbFIRF2807ZSPbFFeaturesIRF2807ZLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 75V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 9.4mGID = 75ADescriptionS This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techni
irf2807zs.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2807ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol
irf2807z.pdf

PD - 94659IRF2807ZAUTOMOTIVE MOSFETHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 75V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 9.4m 175C Operating TemperatureG Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 75ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes th
Другие MOSFET... IRF2805LPBF , IRF2805PBF , IRF2805SPBF , IRF2807PBF , IRF2807SPBF , IRF2807LPBF , IRF2807ZLPBF , IRF2807ZPBF , 20N60 , IRF2903ZLPBF , IRF2903ZPBF , IRF2903ZSPBF , IRF2907ZLPBF , IRF2907ZPBF , IRF2907ZS-7PPBF , IRF2907ZSPBF , IRF3610SPBF .
History: JCS20N60FH | AOT2906 | ZXMN2A02N8 | AP9569GM | 2SK3408 | TK3P50D | IXFR66N50Q2
History: JCS20N60FH | AOT2906 | ZXMN2A02N8 | AP9569GM | 2SK3408 | TK3P50D | IXFR66N50Q2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h