IRF2903ZSPBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRF2903ZSPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1980 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IRF2903ZSPBF
IRF2903ZSPBF Datasheet (PDF)
irf2903zlpbf irf2903zspbf.pdf

PD - 96098AIRF2903ZSPbFIRF2903ZLPbFFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = 30Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 2.4ml Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGl Lead-FreeID = 75ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestDDprocessing techniques to achieve extremel
auirf2903zs auirf2903zl.pdf

AUIRF2903ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF2903ZL Features VDSS 30V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 1.9m Ultra Low On-Resistance max. 2.4m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 235A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 160A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualifie
irf2903zs.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF2903ZSFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMU
irf2903zpbf.pdf

PD -96097AIRF2903ZPbFFeatures HEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = 30Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 2.4mGl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-FreeID = 75ASDescriptionDThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremely lowon-resistance
Другие MOSFET... IRF2807PBF , IRF2807SPBF , IRF2807LPBF , IRF2807ZLPBF , IRF2807ZPBF , IRF2807ZSPBF , IRF2903ZLPBF , IRF2903ZPBF , 50N06 , IRF2907ZLPBF , IRF2907ZPBF , IRF2907ZS-7PPBF , IRF2907ZSPBF , IRF3610SPBF , IRF3703PBF , IRF3704L , IRF3704LPBF .
History: SIHFD9014 | IPB60R040C7 | SPI80N06S-08 | BLM06N03-D | BL80N20L-F | AFN3484
History: SIHFD9014 | IPB60R040C7 | SPI80N06S-08 | BLM06N03-D | BL80N20L-F | AFN3484



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP70P03DF | AP70P03D | AP70P02D | AP70N12NF | AP70N12D | AP70N06HD | AP70N04NF | AP70N03NF | AP70N02NF | AP70N02DF | AP6P06MI | AP6P03SI | AP6N40D | AP6N12MI | AP6N10MI | AP5N10SI
Popular searches
2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet